Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain vok. Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Stromverstärkungsfaktor von Bipolartransistoren in Basisschaltung — bendrabazės tranzistoriaus grandinės srovės perdavimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded base current gain vok. Stromverstärkungsfaktor von Bipolartransistoren in Basisschaltung, m rus. коэффициент… … Radioelektronikos terminų žodynas
inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung — apgrąžinis bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inverse grounded emitter current gain vok. inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolartransistor — Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor… … Deutsch Wikipedia
BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipoltransistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia